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NP32N055HHE, NP32N055IHE, NP32N055SHE
Figure12. DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
Figure13. SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
40
30
20
10
V GS = 10 V
1000
100
10
1
Pulsed
V GS = 10 V
V GS = 0 V
0
? 50
0
50
100
I D = 16 A
150
0.1
0
0.5
1.0
1.5
T ch - Channel Temperature - ?C
Figure14. CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V SD - Source to Drain Voltage - V
Figure15. SWITCHING CHARACTERISTICS
10000
V GS = 0 V
f = 1 MHz
1000
1000
C iss
100
t f
t d(off)
C oss
t d(on)
100
C rss
10
t r
10
0.1
1
10
100
1
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
Figure16. REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I D - Drain Current - A
Figure17. DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
80
60
V DD = 44 V
16
14
12
100
40
28 V
11 V
V GS
10
8
6
10
20
V DS
4
2
1
0.1
1.0
10
100
0
0
4
8
12
16
20
24
I D = 32 A
28
32
I F - Drain Current - A
Data Sheet D14155EJ4V0DS
Q G - Gate Charge - nC
5
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